MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (352/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB600N25N3GATMA1

kezdő: HUF 6 108,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon IPD600N25N3 G 250V OptiMOS termékek teljesítményvezető viszonyítási technológiák, tökéletesen alkalmasak szinkron egyenirányítás 48 V-os rendszerekben, DC-DC átalakítók, szünetmentes táp...

Infineon

IPD600N25N3GATMA1

kezdő: HUF 3 438,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 250 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF2710T

kezdő: HUF 60 855,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 250 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF2710T

kezdő: HUF 3 452,40*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 250 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

BSC600N25NS3GATMA1

kezdő: HUF 2 338,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTD25P03LT4G

kezdő: HUF 188,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTD25P03LT4G

kezdő: HUF 932,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET

Vishay

SiSHA12ADN-T1-GE3

kezdő: HUF 104,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiSHA12ADN-T1-GE3

kezdő: HUF 2 858,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 400 V, 3-tüskés, TO-247AC D Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHG25N40D-GE3

kezdő: HUF 856,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 400 V, 3-tüskés, TO-247AC D Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHG25N40D-GE3

kezdő: HUF 1 001,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLR3105TRPBF

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLR3105TRPBF

kezdő: HUF 927,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Infineon

IPD25N06S4L30ATMA2

kezdő: HUF 145,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

Renesas Electronics

RJK0651DPB-00J5

kezdő: HUF 852 388,00*
2 500 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 351 352 353 354 355 356 357 358 359 360 361 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)