Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...
onsemi
FQB50N06LTM
kezdő: HUF 535,00*
db-ként
MOSFET, 67 A, 60 V, Micro8 HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = Micro8 Rögzítés típusa = Furatszerelt
Infineon
IRF6674TRPBF
kezdő: HUF 535,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 3,7 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® Dual P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesíti...
onsemi
FDMA1023PZ
kezdő: HUF 535,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP12NM50
kezdő: HUF 536,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFS4510TRLPBF
kezdő: HUF 536,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 71.9 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 71.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiR681DP-T1-RE3
kezdő: HUF 536,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 6.9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® Dual P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesíti...
onsemi
FDS4935BZ
kezdő: HUF 536,60*
5 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SQM40016EM_GE3
kezdő: HUF 537,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 80 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH84M1SPSQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMTH84M1SPSQ sorozat egy N-csatornás MOSFET, amely megfelel az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek. Ezt használják terheléskapcsoló és DC-DC átalakítók.Ideális magas körny...
Diodes
DMTH84M1SPSQ-13
kezdő: HUF 537,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRFP064NPBF
kezdő: HUF 537,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma...
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1
kezdő: HUF 537,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 56,7 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SIJ4108DP-T1-GE3
kezdő: HUF 537,00*
db-ként
MOSFET, 90 A, 60 V, SOT669 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Nexperia
BUK9Y13-60ELX
kezdő: HUF 537,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 263 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 U-MOSVIII-H Si (2 ajánlat) 
MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba
Toshiba
TK100E06N1,S1X(S
kezdő: HUF 538,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 56 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
HUF75639P3
kezdő: HUF 538,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   351   352   353   354   355   356   357   358   359   360   361   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.