Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFN110N85X
kezdő: HUF 20 797,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = SOT-227 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
IXYS
IXFN110N85X
kezdő: HUF 19 732,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN132N50P3
kezdő: HUF 10 364,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 112 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN132N50P3
kezdő: HUF 10 482,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
kezdő: HUF 7 318,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
kezdő: HUF 94 233,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N30P
kezdő: HUF 8 976,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N30P
kezdő: HUF 108 577,50*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 145 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
IXYS
IXFN150N65X2
kezdő: HUF 15 315,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...
IXYS
IXFN150N65X2
kezdő: HUF 13 474,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
IXYS
IXFN170N65X2
kezdő: HUF 14 822,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...
IXYS
IXFN170N65X2
kezdő: HUF 14 629,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN180N15P
kezdő: HUF 7 333,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN180N15P
kezdő: HUF 78 673,60*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN200N10P
kezdő: HUF 7 553,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   361   362   363   364   365   366   367   368   369   370   371   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.