Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN48N60P
kezdő: HUF 91 667,80*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN60N80P
kezdő: HUF 13 333,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN60N80P
kezdő: HUF 11 284,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN64N50P
kezdő: HUF 8 036,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN64N50P
kezdő: HUF 69 534,70*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN80N50P
kezdő: HUF 9 705,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN80N50P
kezdő: HUF 108 721,30*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN80N50Q3
kezdő: HUF 14 901,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFN80N50Q3
kezdő: HUF 17 235,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN80N60P3
kezdő: HUF 8 288,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN80N60P3
kezdő: HUF 9 841,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN82N60P
kezdő: HUF 11 311,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN82N60P
kezdő: HUF 12 938,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = SOT-227 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...
IXYS
IXFN90N85X
kezdő: HUF 16 454,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFN90N85X
kezdő: HUF 16 625,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   361   362   363   364   365   366   367   368   369   370   371   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.