Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SIR416DP-T1-GE3
kezdő: HUF 2 661,50*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET sorozat 55V N-csatornás teljesítmény MOSFET. Advanced feldolgozási technikákat alkalmaz a lehető legalacsonyabb szilíciumterületenkénti ellenállás elérése érdekében. Ez a MOSFET g...
Infineon
IRFR4105TRPBF
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IRFR4105TRPBF
kezdő: HUF 72,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQB27P06TM
kezdő: HUF 256,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQB27P06TM
kezdő: HUF 1 958,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQP27P06
kezdő: HUF 426,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQP27P06
kezdő: HUF 3 471,10*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...
onsemi
NTMYS021N06CLTWG
kezdő: HUF 257,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...
onsemi
NTMYS021N06CLTWG
kezdő: HUF 353,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 600 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 (1 ajánlat) 
A Infineon 600V CoolMOS™ P7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET a 600V CoolMOS™ P6 sorozat utódja. Továbbra is egyensúlyt teremt a nagy hatékonyság és a tervezési folyamat egyszerű használata között. A Co...
Infineon
IPL60R125P7AUMA1
kezdő: HUF 398,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 800 V, 3-tüskés, TO-264AA HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK27N80Q
kezdő: HUF 4 956,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 800 V, 3-tüskés, TO-264AA HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK27N80Q
kezdő: HUF 226 528,00*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 270 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 270 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...
ROHM Semiconductor
RX3G18BBGC16
kezdő: HUF 1 275,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 270 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 270 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...
ROHM Semiconductor
RX3G18BBGC16
kezdő: HUF 1 053,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 270 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRLS3036TRLPBF
kezdő: HUF 435,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   361   362   363   364   365   366   367   368   369   370   371   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.