MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (365/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 VN10K Egyszeres (1 ajánlat)

Microchip Technology MOSFETA Microchip Technology furatba szerelhető N-chile új, korba tartozó termék, amelynek ürítési ellenállása 5 ohm 10 V kapuforrásnál 60 V-os ürítőforrás feszültséggel és 30 ...

Microchip Technology

VN10KN3-G

nincs adat

kezdő: HUF 4 251,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, UMT3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 310 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = UMT3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növek...

ROHM Semiconductor

BSS138WT106

nincs adat

kezdő: HUF 73,84*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, UMT3 (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

BSS138WT106

nincs adat

kezdő: HUF 15,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat)

A On Semiconductor dupla hűtésű, N-csatornás MOSFET egy 5x6 mm-es lapos, kompakt és hatékony kialakításhoz, valamint nagy hőteljesítményhez tervezett tokozással. Ebben a nedvesített hasszélre vonat...

onsemi

NVMFSC0D9N04C

nincs adat

kezdő: HUF 927,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 313 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.00087...

onsemi

NVMFSC0D9N04C

nincs adat

kezdő: HUF 1 446,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az N-csatornás MOSFET A Félvezető Advanced Power Trench® eljárásában található. A szilícium és a Dual Cool™ technológia fejlesztései kombináltak a legalacsonyabb RDS(on)-t kínáló technológiákkal...

onsemi

NTMFSC0D9N04CL

nincs adat

kezdő: HUF 1 282 624,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 313 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NTMFSC0D9N04CL

nincs adat

kezdő: HUF 453,00*
db-ként

Infineon IPT012N06N tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

IPT012N06NATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 5 350,44*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 60 V, 8-tüskés, PG-HSOF-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 313 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG-HSOF-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...

Infineon

IPT012N06NATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 1 395,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...

Vishay

SQJ138ELP-T1_GE3

nincs adat

kezdő: HUF 621 128,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 315 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = N-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...

Vishay

SQJ138ELP-T1_GE3

nincs adat

kezdő: HUF 284,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFR3411TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 171,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFX32N100Q3

nincs adat

kezdő: HUF 8 357,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFX32N100Q3

nincs adat

kezdő: HUF 10 917,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

IXYS

IXFK32N100Q3

nincs adat

kezdő: HUF 8 400,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)