MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (367/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STB37N60 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = STB37N60 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

ST Microelectronics

STB37N60DM2AG

kezdő: HUF 1 400,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STB37N60 SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STB37N60DM2AG

kezdő: HUF 1 561,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh DM2 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...

ST Microelectronics

STF35N60DM2

kezdő: HUF 1 220,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STF35N60DM2

kezdő: HUF 54 911,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW35N60DM2

kezdő: HUF 1 569,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STW35N60DM2

kezdő: HUF 35 334,2001*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFQ28N60P3

kezdő: HUF 1 412,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R072M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 232,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IMZA65R072M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 500,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat)

A Infineon CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó MOSFET sorozat forradalmi előrelépést jelent a technológia terén, amely a világ legalacsonyabb RDS(ON)/csomagját nyújtja, és alacsony kapcsolási veszteségéne...

Infineon

IPL65R070C7AUMA1

kezdő: HUF 1 081,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R083M1HXTMA1

kezdő: HUF 1 362,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Infineon

IMBG65R083M1HXTMA1

kezdő: HUF 2 010,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Microchip Technology

MSC060SMA070B4

kezdő: HUF 2 679,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat)

Microchip Technology

MSC060SMA070B4

kezdő: HUF 3 190,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 710 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STW34N65M5

kezdő: HUF 1 158,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)