Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó MOSFET sorozat forradalmi előrelépést jelent a technológia terén, amely a világ legalacsonyabb RDS(ON)/csomagját nyújtja, és alacsony kapcsolási veszteségéne...
Infineon
IPL65R070C7AUMA1
kezdő: HUF 1 965,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R083M1HXTMA1
kezdő: HUF 1 360,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R083M1HXTMA1
kezdő: HUF 1 992,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Tranzisztor anyaga = SiC
Microchip Technology
MSC060SMA070B4
kezdő: HUF 2 684,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Tranzisztor anyaga = SiC
Microchip Technology
MSC060SMA070B4
kezdő: HUF 3 167,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 710 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...
ST Microelectronics
STW34N65M5
kezdő: HUF 34 344,90*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 710 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...
ST Microelectronics
STW34N65M5
kezdő: HUF 1 133,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP024N08NF2S (1 ajánlat) 
Az Infineon IPP024N08NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 80 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. E...
Infineon
IPP024N08NF2SAKMA1
kezdő: HUF 470,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP024N08NF2S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = IPP024N08NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszül...
Infineon
IPP024N08NF2SAKMA1
kezdő: HUF 650,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat) 
A járműipari alkalmazásokhoz használt Infineon n csatornás logikai szintű MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavina-értéke pedig 100 százalék. Mások mellett LED-es világításban és az erőátviteli ren...
Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1
kezdő: HUF 601,455*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1
kezdő: HUF 197,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28.3 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor autós teljesítmény MOSFET 3x3 mm-es lapos ólom tokozásban, kompakt és hatékony kialakításokhoz és nagy hőteljesítményhez tervezve. A nedvesíthető lágyék opció a jobb optikai elle...
onsemi
NVTFS4C02NTAG
kezdő: HUF 337,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28.3 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NVTFS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásell...
onsemi
NVTFS4C02NTAG
kezdő: HUF 460,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 280 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 30 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJQ131EL-T1_GE3
kezdő: HUF 2 579,75*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 280 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 30 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 280 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = P-Channel 30 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJQ131EL-T1_GE3
kezdő: HUF 793,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   371   372   373   374   375   376   377   378   379   380   381   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.