MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (372/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 330 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon SIGMOS® P-Channel MOSFET-ek. Az Infineon SIPMOS ;sup> ® ;/sup> kis Jel P- csatorna MOSFET-ek számos olyan funkciót kínálnak, amelyek között szerepelhet a kontrasztnövelés mód, a folyamatos...

Infineon

BSS83P

kezdő: HUF 42,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 331 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 331 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = HSOF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Infineon

IPT014N08NM5ATMA1

kezdő: HUF 1 468,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 333 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 333 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = HSOF-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipen...

Infineon

IPT013N08NM5LFATMA1

kezdő: HUF 1 244,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 333 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 (1 ajánlat)

Infineon

IPT013N08NM5LFATMA1

kezdő: HUF 1 857,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 334 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 334 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIRS4600DP-T1-RE3

kezdő: HUF 3 123 912,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 334 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIRS4600DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 064,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 335 mA, 55 V, 3-tüskés, TO-236 BSH111BK Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 335 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = BSH111BK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Nexperia

BSH111BKR

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 335 mA, 55 V, 3-tüskés, TO-236 BSH111BK Egyszeres (1 ajánlat)

Logikai és normál szintű MOSFET-ek változatos kiszerelésben. Tekintse meg robusztus és könnyen használható MOSFET-jeinket a 40–60 V-os tartományban. Tökéletesek tér- és energiakritikus alkalmazások...

Nexperia

BSH111BKR

kezdő: HUF 2 531,90*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 30 V, 8-tüskés, DFN NTMFS0D8N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 337 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NTMFS0D8N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NTMFS0D8N03CT1G

kezdő: HUF 514,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 30 V, 8-tüskés, DFN NTMFS0D8N Si (1 ajánlat)

A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 337 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Javítja a pillanatnyi felügyeletet és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x...

onsemi

NTMFS0D8N03CT1G

kezdő: HUF 548,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

AIMW120R080M1XKSA1

kezdő: HUF 877 286,3208*
240 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 34 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

AIMW120R080M1XKSA1

kezdő: HUF 3 877,00*
db-ként