MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (374/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon Power MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jellemzői közé tart...

Infineon

AUIRF540ZSTRL

kezdő: HUF 420 561,40*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

AUIRF540ZSTRL

kezdő: HUF 744,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRL540NSTRLPBF

kezdő: HUF 3 913,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 355 A, 75 V, 3-tüskés, TO-247 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRFP7718PBF

kezdő: HUF 3 865,00*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 354 A, 100 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 354 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 16 Maximális nyelő for...

Infineon

IPTC015N10NM5ATMA1

kezdő: HUF 2 331 686,808*
1 800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 354 A, 100 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Infineon

IPTC015N10NM5ATMA1

kezdő: HUF 1 550,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 353 A, 24 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 12 V - 25 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRF1324PBF

kezdő: HUF 411,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 90 V, 3-tüskés, TO-39 2N6661 Egyszeres (2 ajánlat)

A 2N6661 egy javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes így egy, a bipolár...

Microchip Technology

2N6661

kezdő: HUF 4 905,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 90 V, 3-tüskés, TO-39 2N6661 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Csomag típusa = TO-39 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Microchip Technology

2N6661

kezdő: HUF 5 823,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 TN0106 Egyszeres (2 ajánlat)

Microchip Technology MOSFETA Microchip Technology furatba szerelhető N-chile új korba tartozó termék, amelynek ürítési ellenállása 3 ohm 10 V kapuforrásnál 60 V-os ürítőforrásfeszültséggel és 20 V-...

Microchip Technology

TN0106N3-G

kezdő: HUF 289,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

2N7002BK,215

kezdő: HUF 17,50*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

2N7002BK,215

kezdő: HUF 1 511,80*
200 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 40 V, 3-tüskés, TO-92 VN0104 Egyszeres (2 ajánlat)

Ez a javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranz...

Microchip Technology

VN0104N3-G

kezdő: HUF 234,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 240 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si (3 ajánlat)

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

Infineon

BSP129

kezdő: HUF 122,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Si (1 ajánlat)

Infineon kis jel / kis teljesítményű MOSFET. Az összes kis jelű, n-csatornás termék alkalmas autóipari alkalmazásokhoz (kivéve a 2N7002-et).Feljavítási mód Ólommentes vezetékbevonat RoHS megfelelőségű

Infineon

BSP88H6327XTSA1

kezdő: HUF 102,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)