MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (377/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Motorvezérlés és AC-DC szinkronkapcsoló MOSFET, Infineon. MOSFET motorvezérlés. Az Infineon átfogó termékkínálattal rendelkezik a robusztus N-csatornás és a P-csatornás MOSFET-eszközök között a mot...

Infineon

IRFB4615PBF

kezdő: HUF 395,20*
db-ként

kezdő: HUF 790,40*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Tranzi...

Infineon

IRFB4615PBF

kezdő: HUF 341,403*
db-ként

kezdő: HUF 34 140,30*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IRFB4615PBF

kezdő: HUF 359,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 1000 V, 4-tüskés, TO-247-4 C3M SiC (2 ajánlat)

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M sorozat, Cree. Új C3M Szilícium-karbid (SIC) MOSFET technológia Minimum 1000 V teljesítmény Egyforráspontú Meghibásodás Feszültség a teljes üzemi hőmérséklet-tarto...

Wolfspeed

C3M0065100K

kezdő: HUF 4 459,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 1000 V, 4-tüskés, TO-247-4 C3M SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed

C3M0065100K

kezdő: HUF 5 817,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 2 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET család. Az Infineon OptiMOS™2 N-csatornás termékcsaládja az iparág legalacsonyabb, állapotban lévő ellenállását kínálja a feszültség csoporton belül. A MOSFET termék...

Infineon

IPD25CN10NGATMA1

kezdő: HUF 230,10*
db-ként

kezdő: HUF 2 301,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...

onsemi

FQPF70N10

kezdő: HUF 345,432*
db-ként

kezdő: HUF 17 271,60*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQPF70N10

kezdő: HUF 442,56*
db-ként

kezdő: HUF 2 212,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP30NF10

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP30NF10

kezdő: HUF 144,78*
db-ként

kezdő: HUF 723,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™-T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™-T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IPD35N10S3L26ATMA1

kezdő: HUF 351,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...

Infineon

AUIRFR540Z

kezdő: HUF 544,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Ez a Infineon HEXFET® Power MOSFET a legújabb 35A ID feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további j...

Infineon

IRFR540ZTRPBF

HUF 139,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFR540ZTRPBF

HUF 178,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

AUIRFR540ZTRL

kezdő: HUF 397,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)