Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Infineon
SPW32N50C3FKSA1
kezdő: HUF 2 318,00*
db-ként
 
 db
Infineon
SPW32N50C3FKSA1
kezdő: HUF 1 943,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 30 V, 8-tüskés, SOP U-MOSVIII-H Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-Channel, TPH Series, Toshiba
Toshiba
TPH11003NL,LQ(S
kezdő: HUF 276,90*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK32N100Q3
kezdő: HUF 8 474,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK32N100Q3
kezdő: HUF 8 351,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N100Q3
kezdő: HUF 8 400,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 1000 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N100Q3
kezdő: HUF 10 962,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR3411TRPBF
kezdő: HUF 173,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJ138ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 619 506,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 315 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = N-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJ138ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 282,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 60 V, 8-tüskés, PG-HSOF-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 313 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG-HSOF-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Infineon
IPT012N06NATMA1
kezdő: HUF 1 395,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az N-csatornás MOSFET A Félvezető Advanced Power Trench® eljárásában található. A szilícium és a Dual Cool™ technológia fejlesztései kombináltak a legalacsonyabb RDS(on)-t kínáló technológiákkal...
onsemi
NTMFSC0D9N04CL
kezdő: HUF 1 281 876,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 313 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
onsemi
NTMFSC0D9N04CL
kezdő: HUF 454,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) 
A On Semiconductor dupla hűtésű, N-csatornás MOSFET egy 5x6 mm-es lapos, kompakt és hatékony kialakításhoz, valamint nagy hőteljesítményhez tervezett tokozással. Ebben a nedvesített hasszélre vonat...
onsemi
NVMFSC0D9N04C
kezdő: HUF 928,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 313 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.00087...
onsemi
NVMFSC0D9N04C
kezdő: HUF 1 443,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   381   382   383   384   385   386   387   388   389   390   391   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.