MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (389/794 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 375 A, 60 V, DirectFET izometrikus DirectFET, HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

DirectFET® Power MOSFET Infineon. A DirectFET® tápegység felületszerelt MOSFET csomagolási technológia. A DirectFET® MOSFET-ek olyan megoldás, amely csökkenti az energiaveszteséget, miközben csökke...

Infineon

IRF7749L1TRPBF

kezdő: HUF 2 559,50*
4 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

BSP89,115

kezdő: HUF 90,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 mA, 250 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

BSP126

kezdő: HUF 85,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 mA, 250 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

BSP126

kezdő: HUF 834,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 376 A, 60 V, 8-tüskés, Power 88 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 376 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = Power 88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

onsemi

NTMTS001N06CTXG

kezdő: HUF 2 342 049,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 376 A, 60 V, 8-tüskés, Power 88 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Az eszközök ólommentesek, ...

onsemi

NTMTS001N06CTXG

kezdő: HUF 2 446,60*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 378 A, 40 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5C404N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C404NT1G

kezdő: HUF 2 056 180,50*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 378 A, 40 V, 8-tüskés, DFN NTMFS5C404N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C404NT1G

kezdő: HUF 2 565,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRF5210STRLPBF

kezdő: HUF 492,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF5210STRLPBF

kezdő: HUF 2 800,00*
5 db-ként

Infineon AUIRF5210S tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

AUIRF5210STRL

kezdő: HUF 914 787,00*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

AUIRF5210STRL

kezdő: HUF 1 390,00*
db-ként

Infineon IRF5210L tranzisztor 20 V (1 ajánlat)

Infineon

IRF5210LPBF

kezdő: HUF 18 970,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF5210LPBF

kezdő: HUF 3 232,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFN44N100Q3

kezdő: HUF 18 356,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)