MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (397/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW48NM60N

kezdő: HUF 941,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK39N60W,S1VF(S

kezdő: HUF 1 321,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK39J60W5,S1VQ(O

kezdő: HUF 779,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PN Sorozat = TK Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyel...

Toshiba

TK39J60W,S1VQ(O

kezdő: HUF 1 490,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMW65R048M1HXKSA1

kezdő: HUF 1 990,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IMW65R048M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 090,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R048M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 568,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IMZA65R048M1HXKSA1

kezdő: HUF 3 044,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...

ROHM Semiconductor

SCT3060ARC15

kezdő: HUF 3 221,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3060ARC15

kezdő: HUF 3 643,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3060ARHRC15

kezdő: HUF 2 923,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3060ARHRC15

kezdő: HUF 2 803,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R057M1HXTMA1

kezdő: HUF 1 784,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Infineon

IMBG65R057M1HXTMA1

kezdő: HUF 2 517,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 80 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRLR2908TRPBF

kezdő: HUF 160,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)