MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (398/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...

ROHM Semiconductor

SCT3060ARC15

kezdő: HUF 3 223,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3060ARC15

kezdő: HUF 3 632,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3060ARHRC15

kezdő: HUF 2 917,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3060ARHRC15

kezdő: HUF 2 797,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R057M1HXTMA1

kezdő: HUF 1 783,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Infineon

IMBG65R057M1HXTMA1

kezdő: HUF 2 524,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 80 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRLR2908TRPBF

kezdő: HUF 159,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 80 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLR2908TRPBF

kezdő: HUF 2 243,70*
10 db-ként

Infineon BSZ180P03NS3 G tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

BSZ180P03NS3GATMA1

kezdő: HUF 94,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39,6 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS P3 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 39,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = OptiMOS P3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Infineon

BSZ180P03NS3GATMA1

kezdő: HUF 147,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39.3 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ462ADP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. Rugalmas elvezetései ellenállóképességet biztosítanak a mechanikai stres...

Vishay

SiJ462ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 195,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39.3 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ462ADP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = SiJ462ADP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SiJ462ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 210,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 396 A, 80 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 396 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPTC012N08NM5ATMA1

kezdő: HUF 3 058 411,41*
1 800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 396 A, 80 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Infineon

IPTC012N08NM5ATMA1

kezdő: HUF 1 852,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 398.2 A, 60 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Power 88 Csomag, Ipari Sza...

onsemi

NTMTS001N06CLTXG

kezdő: HUF 2 350 526,01*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)