Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 150 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN3306FTA
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
Infineon BSP88 tranzisztor 240 V (3 ajánlat)
Infineon
BSP88H6327XTSA1
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 45,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Vishay
SIRA88DP-T1-GE3
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI3433CDV-T1-GE3
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 3-tüskés, TO-236 PMV20XNE Egyszeres (2 ajánlat) 
Robusztus illesztés az aszinkron és szinkron rendszerek között. A flip-flopok alapvető tárolóelemek a digitális elektronikában. A flip-flopok csak a kimenet változását teszik lehetővé egy életvitel...
Nexperia
PMV20XNER
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN4800LSSL-13
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 2.9 A, 390 mA, 60 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMC67 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 2.9 A, 390 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = DMC67 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...
Diodes
DMC67D8UFDBQ-7
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
FDG6303N
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 580 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-26 Izolált Si (2 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMN601DMK-7
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 305 mA, 60 V, SOT-563F (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 305 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-563F Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SI1026X-T1-GE3
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61P03FTA
kezdő: HUF 54,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 1,9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI2303CDS-T1-GE3
kezdő: HUF 54,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 1,9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
FDN357N
kezdő: HUF 54,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 20 V, 6-tüskés, WSON NexFET Si (2 ajánlat) 
--
Texas Instruments
CSD25310Q2
kezdő: HUF 54,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SI2300DS-T1-GE3
kezdő: HUF 54,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.