Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...
1
Vishay
SIHB5N80AE-GE3
kezdő: HUF 183,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = SiHU5N80AE Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
1
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
kezdő: HUF 159,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)
1
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
kezdő: HUF 104,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E-Series (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...
1
Vishay
SIHP5N80AE-GE3
kezdő: HUF 166,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E-Series (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E-Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...
1
Vishay
SIHP5N80AE-GE3
kezdő: HUF 279,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
1
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
kezdő: HUF 122,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
1
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
2
Vishay
IRFI510GPBF
kezdő: HUF 106,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
1
Vishay
IRFI510GPBF
kezdő: HUF 3 663,50*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 150 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
1
onsemi
FDS86252
kezdő: HUF 299 511,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 LSIC1MO170T0750 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő...
1
Littelfuse
LSIC1MO170T0750-TU
kezdő: HUF 141 937,90*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 LSIC1MO170T0750 SiC (1 ajánlat) 
Az új Littelfuse 1700V, 750 mOhm szilícium-karbid (SiC) MOSFET-EK TO-263-7L csomagban kerülnek bemutatásra. A leválasztott forrástüske jelentősen csökkenti a káros forrás induktivitását a meghajtó ...
1
Littelfuse
LSIC1MO170T0750-TU
kezdő: HUF 2 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
2
onsemi
FDC638P
kezdő: HUF 68,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
2
onsemi
FDC640P
kezdő: HUF 79,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
1
onsemi
FDC638P
kezdő: HUF 703,60*
10 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.