Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLL024NTRPBF
kezdő: HUF 2 631,90*
20 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN6A11GTA
kezdő: HUF 132 893,00*
1 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 700 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek szám...
Infineon
IPLK70R1K2P7ATMA1
kezdő: HUF 125,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 700 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek szám...
Infineon
IPLK70R1K2P7ATMA1
kezdő: HUF 234,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 8 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI2305CDS-T1-GE3
kezdő: HUF 103 185,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E-Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SIHB5N80AE-GE3
kezdő: HUF 299,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...
Vishay
SIHB5N80AE-GE3
kezdő: HUF 300,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = SiHU5N80AE Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
kezdő: HUF 159,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
kezdő: HUF 103,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E-Series (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...
Vishay
SIHP5N80AE-GE3
kezdő: HUF 295,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E-Series (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E-Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...
Vishay
SIHP5N80AE-GE3
kezdő: HUF 279,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
kezdő: HUF 227,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
kezdő: HUF 222,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI510GPBF
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI510GPBF
kezdő: HUF 3 649,50*
10 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.