Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
1
Diodes
ZXMN3F30FHTA
kezdő: HUF 1 153,50*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
2
Diodes
ZXMN3A03E6TA
kezdő: HUF 100,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 DMN4035 Si (2 ajánlat) 
A DiodesZetex 40V N csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális a nagy hatékonyságú...
2
Diodes
DMN4035L-7
kezdő: HUF 36,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 DMN4035 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMN4035 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
1
Diodes
DMN4035L-7
kezdő: HUF 74,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
2
Vishay
IRFI840GPBF
kezdő: HUF 217,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 80 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő for...
1
Vishay
SI3476DV-T1-GE3
kezdő: HUF 136 746,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 80 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
TrenchFET® Power MOSFET Anyagkategorizálás: ALKALMAZÁSOK Terheléskapcsoló hordozható eszközökhöz LED-háttérvilágítású kapcsoló DC/DC átalakító Feszültségnövelő átalakító
1
Vishay
SI3476DV-T1-GE3
kezdő: HUF 1 166,50*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
2
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 084,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...
1
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 086,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás ...
2
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 038,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
1
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 035,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor
2
Vishay
SI2365EDS-T1-GE3
kezdő: HUF 27,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor
1
Vishay
SI2365EDS-T1-GE3
kezdő: HUF 1 554,70*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN2015 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X2-DFN2015 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő...
2
Diodes
DMP2045UFY4-7
kezdő: HUF 26,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN2015 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
1
Diodes
DMP2045UFY4-7
kezdő: HUF 2 431,50*
100 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.