Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ThinPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek száma...
Infineon
IPL65R095CFD7AUMA1
kezdő: HUF 2 743 819,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = ThinPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek száma...
Infineon
IPL65R095CFD7AUMA1
kezdő: HUF 1 431,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF (2 ajánlat) 
A Vishay SiHP105N60EF-GE3 egy EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetés...
Vishay
SiHP105N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 152,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
Vishay
SiHP105N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 283,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK075N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 1 137,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK075N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 1 589,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 8-tüskés, HSOF-8 CoolMOS™ G7 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = HSOF-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
Infineon
IPT60R080G7XTMA1
kezdő: HUF 1 454,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 600V CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET sorozat a CoolMOS™ CP-hez képest ∼50%-kal csökkenti a kikapcsolási veszteségeket (e oss), kiemelkedő teljesítményt nyújtva a PFC, TTF és más...
Infineon
IPL60R065C7AUMA1
kezdő: HUF 1 440,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...
ROHM Semiconductor
R6077VNZC17
kezdő: HUF 1 877,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...
ROHM Semiconductor
R6077VNZC17
kezdő: HUF 2 453,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHG105N60EF Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,102 Ω Csatorna mód = ...
Vishay
SIHG105N60EF-GE3
kezdő: HUF 771,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHG105N60EF-GE3
kezdő: HUF 808,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHG30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 498,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SiHG30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 506,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW34NM60N
kezdő: HUF 1 418,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.