Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 41.9 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...
onsemi
NTMFS022N15MC
kezdő: HUF 353,78367*
db-ként
kezdő: HUF 1 061 351,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 41.9 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMFS022N15MC
kezdő: HUF 582,00*
db-ként
kezdő: HUF 582,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 410 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 410 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...
Vishay
SQJA26EP-T1_GE3
kezdő: HUF 270,00*
db-ként
kezdő: HUF 270,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 410 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 410 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...
Vishay
SQJA26EP-T1_GE3
kezdő: HUF 437,00*
db-ként
kezdő: HUF 437,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 410 A, 50 V, 4-tüskés, LFPAK88 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 410 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V Csomag típusa = LFPAK88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipe...
Nexperia
PSMNR90-50SLHAX
kezdő: HUF 922,00*
db-ként
kezdő: HUF 922,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 410 A, 50 V, 4-tüskés, LFPAK88 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 410 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V Csomag típusa = LFPAK88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipe...
Nexperia
PSMNR90-50SLHAX
kezdő: HUF 1 121,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 121,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 410 mA, 30 V, 3-tüskés, X2-DFN0604-3 DMN31D5UFO (2 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN31D5UFO sorozat N-csatornás MOSFET. Általános célú interfész kapcsolóban, energiagazdálkodási funkciókban és analóg kapcsolóban használják.ESD védelemmel ellátott kapu Alacsony pro...
Diodes
DMN31D5UFO-7B
kezdő: HUF 12,80*
db-ként
kezdő: HUF 12,80*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 410 mA, 30 V, 3-tüskés, X2-DFN0604-3 DMN31D5UFO (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 410 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMN31D5UFO Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.0015 O Csatorna mód = ...
Diodes
DMN31D5UFO-7B
kezdő: HUF 24,00*
db-ként
kezdő: HUF 24,00*
db-ként
Infineon IRF1310NS tranzisztor 150 V (3 ajánlat)
Infineon
IRF1310NSTRLPBF
kezdő: HUF 303,00*
db-ként
kezdő: HUF 303,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon sorozat ötödik generációs HEXFET International Rectifier hasznosítani Advanced feldolgozási technikák elérése rendkívül alacsony ellenállás szilícium területen. Ez az előnyök, valamint a...
Infineon
IRF1310NSTRLPBF
kezdő: HUF 454,00*
db-ként
kezdő: HUF 454,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF1310NPBF
kezdő: HUF 347,00*
db-ként
kezdő: HUF 347,00*
db-ként
Infineon IRF1310N tranzisztor 30 V (2 ajánlat)
Infineon
IRF1310NPBF
kezdő: HUF 232,00*
db-ként
kezdő: HUF 232,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFP150NPBF
kezdő: HUF 317,00*
db-ként
kezdő: HUF 317,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFP150NPBF
kezdő: HUF 436,936*
db-ként
kezdő: HUF 10 923,40*
25 db-ként
Infineon BSC160N10NS3 G tranzisztor 30 V (1 ajánlat)
Infineon
BSC160N10NS3GATMA1
kezdő: HUF 168,8584*
db-ként
kezdő: HUF 844 292,00*
5 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.