Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN067N Si (2 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTH4LN067N65S3H
kezdő: HUF 1 612,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 612,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN067N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
onsemi
NTH4LN067N65S3H
kezdő: HUF 1 750,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 750,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 2 738,00*
db-ként
kezdő: HUF 2 738,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 4 432,00*
db-ként
kezdő: HUF 4 432,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL90N (2 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTL90N65G2V
kezdő: HUF 10 206,00*
db-ként
kezdő: HUF 10 206,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 8-tüskés, H-PSOF8L SUPERFET III Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NTBL082N65S3HF
kezdő: HUF 1 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 8-tüskés, H-PSOF8L SUPERFET III Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NTBL082N65S3HF
kezdő: HUF 1 819,00*
db-ként
kezdő: HUF 1 819,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1
kezdő: HUF 226,9454*
db-ként
kezdő: HUF 1 134 727,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1
kezdő: HUF 284,00*
db-ként
kezdő: HUF 284,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1
kezdő: HUF 145,00*
db-ként
kezdő: HUF 145,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1
kezdő: HUF 235,00*
db-ként
kezdő: HUF 235,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Vishay
SQJB46ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
A Vishay N csatornás MOSFET PowerPAK SO-8L tokozással rendelkezik.R-C értékek a Foster/tank és elektromos áramkörére vonatkozóan figyelmeztető/szűrő konfigurációk mellékelve
Vishay
SQJB46ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 175,00*
db-ként
kezdő: HUF 175,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Vishay
SQJB46EP-T1_GE3
kezdő: HUF 160,00*
db-ként
kezdő: HUF 160,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
A Vishay MOSFET PowerPAK SO-8L tokozással rendelkezik.R-C értékek a Foster/tank és elektromos áramkörére vonatkozóan figyelmeztető/szűrő konfigurációk mellékelve
Vishay
SQJB46EP-T1_GE3
kezdő: HUF 175,00*
db-ként
kezdő: HUF 175,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.