MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (425/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 4,7 A, 900 V, TO-247AC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

IRFPF40PBF

kezdő: HUF 608,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 7 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat)

PowerTrench® Dual P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesíti...

onsemi

FDS4935A

kezdő: HUF 607,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (3 ajánlat)

EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Kis bemenőkapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök ...

Vishay

SIHB22N60EF-GE3

kezdő: HUF 607,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 223 A, 60 V, 7-tüskés, PG-TO263-7 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 223 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG-TO263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...

Infineon

IPF016N06NF2SATMA1

kezdő: HUF 607,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP12NM50

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFP450APBF

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB125N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB125N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SIHB125N60EF-GE3

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFP3710PBF

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 79 A, 100 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 79 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenk...

Infineon

BSC070N10LS5ATMA1

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

Infineon IRFB4321PBF tranzisztor 150 V 59 A MOSFET (2 ajánlat)

Infineon

IRFB4321PBF

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 302 A, 40 V, 7-tüskés, PG-TO263-7 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 302 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG-TO263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...

Infineon

IPF009N04NF2SATMA1

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Infineon

BSC028N06NSTATMA1

kezdő: HUF 605,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET F3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripbeFET™ F3, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB140NF75T4

kezdő: HUF 605,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STF5NK100Z

kezdő: HUF 605,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 433 A, 30 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 433 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Infineon

BSC005N03LS5ATMA1

kezdő: HUF 605,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 421 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)