Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 408 A, 80 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 408 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Infineon
IPTG011N08NM5ATMA1
kezdő: HUF 2 611 397,016*
1 800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 408 A, 80 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 408 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Infineon
IPTG011N08NM5ATMA1
kezdő: HUF 1 881,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP150PBF
kezdő: HUF 369,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP150PBF
kezdő: HUF 19 508,10*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (2 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
kezdő: HUF 927,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB068N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 087,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB SiHP068N60EF (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Vishay
SIHP068N60EF-GE3
kezdő: HUF 951,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB SiHP068N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHP068N60EF-GE3
kezdő: HUF 930,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPP65R225C7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)
Infineon
IPP65R225C7XKSA1
kezdő: HUF 561,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
IPP65R225C7XKSA1
kezdő: HUF 682,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPL65R230C7 tranzisztor 650 V (2 ajánlat)
Infineon
IPL65R230C7AUMA1
kezdő: HUF 553,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 700 V, 4-tüskés, PG-VSON-4 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-VSON-4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = N...
Infineon
IPL65R230C7AUMA1
kezdő: HUF 738,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41.9 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...
onsemi
NTMFS022N15MC
kezdő: HUF 355,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41.9 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMFS022N15MC
kezdő: HUF 580,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 410 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 410 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...
Vishay
SQJA26EP-T1_GE3
kezdő: HUF 271,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.