MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (427/795 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 710 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STP57N65M5

kezdő: HUF 2 646,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 710 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STF57N65M5

kezdő: HUF 2 504,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 710 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STF57N65M5

kezdő: HUF 2 314,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 710 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STW57N65M5

kezdő: HUF 2 528,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 710 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STW57N65M5

kezdő: HUF 2 313,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42,6 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIR5112DP-T1-RE3

kezdő: HUF 434,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42,6 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIR5112DP-T1-RE3

kezdő: HUF 549,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42.3 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiS176LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 103,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42.3 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SiS176LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 246,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 420 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS Trench HiperFET (2 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

IXYS

IXFN420N10T

kezdő: HUF 9 278,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 420 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS Trench HiperFET (1 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

IXYS

IXFN420N10T

kezdő: HUF 109 433,10*
10 db-ként

Infineon IRFS7430 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFS7430TRLPBF

kezdő: HUF 400,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 426 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) IRFS7 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 426 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Infineon

IRFS7430TRLPBF

kezdő: HUF 403,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFI4410ZPBF

kezdő: HUF 621,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFI4410ZPBF

kezdő: HUF 4 273,60*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 421 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)