MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (432/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 373 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 373 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szá...

Vishay

SIJH600E-T1-GE3

kezdő: HUF 1 093,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 373 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L (1 ajánlat)

Vishay

SIJH600E-T1-GE3

kezdő: HUF 1 480,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 A, 0,82 V, 8-tüskés, HSOF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 375 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 0,82 V Csomag típusa = HSOF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Infineon

IPT60R022S7XTMA1

kezdő: HUF 2 137,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 375 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális...

Vishay

SQJQ148E-T1_GE3

kezdő: HUF 306,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L (1 ajánlat)

A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK 8 x 8L tokozású, 375 A-es elvezető árammal.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelv...

Vishay

SQJQ148E-T1_GE3

kezdő: HUF 375,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 A, 60 V, DirectFET izometrikus DirectFET, HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

DirectFET® Power MOSFET Infineon. A DirectFET® tápegység felületszerelt MOSFET csomagolási technológia. A DirectFET® MOSFET-ek olyan megoldás, amely csökkenti az energiaveszteséget, miközben csökke...

Infineon

IRF7749L1TRPBF

kezdő: HUF 2 563,50*
4 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

BSP89,115

kezdő: HUF 90,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 mA, 250 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

BSP126

kezdő: HUF 84,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 375 mA, 250 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

BSP126

kezdő: HUF 832,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 376 A, 60 V, 8-tüskés, Power 88 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 376 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = Power 88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

onsemi

NTMTS001N06CTXG

kezdő: HUF 2 341 455,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 376 A, 60 V, 8-tüskés, Power 88 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Az eszközök ólommentesek, ...

onsemi

NTMTS001N06CTXG

kezdő: HUF 2 442,60*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 378 A, 40 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5C404N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C404NT1G

kezdő: HUF 2 054 789,505*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 378 A, 40 V, 8-tüskés, DFN NTMFS5C404N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C404NT1G

kezdő: HUF 2 568,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 100 V - 150 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumo...

Infineon

IRF5210STRLPBF

kezdő: HUF 488,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF5210STRLPBF

kezdő: HUF 2 805,00*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 431 432 433 434 435 436 437 438 439 440 441 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)