MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (436/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 60 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) OptiMOS™ -T2 Si (1 ajánlat)

Az I2PAK (TO-262) típusú tokozású Infineon OptiMOS™-T2 sorozatú N-csatornás autóipari MOSFET.N-csatorna – Javítási mód MSL1 - 260 °C Peak visszafolyása 175 °C-os üzemi hőmérséklet

Infineon

IPI45N06S409AKSA2

kezdő: HUF 415,00*
db-ként

Infineon IPP060N06N tranzisztor 60 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP060N06NAKSA1

kezdő: HUF 176,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™5 teljesítmény MOSFET-ek

Infineon

IPP060N06NAKSA1

kezdő: HUF 3 434,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 60 V, 3-tüskés, TO-263 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes E...

Infineon

IPB057N06NATMA1

kezdő: HUF 232,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW45NM60

kezdő: HUF 2 703,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW45NM60

kezdő: HUF 109 460,9001*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és forrásellenállás 45 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2V

kezdő: HUF 4 027,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW35 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2V

kezdő: HUF 4 010,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

SCTWA35N65G2V-4

kezdő: HUF 4 016,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTWA35N65G2V-4

kezdő: HUF 4 017,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és a forrásellenállás 55 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási ...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7

kezdő: HUF 3 496,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTH35 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7

kezdő: HUF 4 250,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R048M1HXTMA1

kezdő: HUF 1 478,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Infineon

IMBG65R048M1HXTMA1

kezdő: HUF 1 528,00*
db-ként

Infineon IPD135N08N3 G tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD135N08N3GATMA1

kezdő: HUF 248 296,00*
2 500 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 431 432 433 434 435 436 437 438 439 440 441 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)