MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (439/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 9.4 A, 60 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

FQU11P06TU

kezdő: HUF 564,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...

onsemi

FQT5P10TF

kezdő: HUF 564,40*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STD16N65M5

kezdő: HUF 564,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 124 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 124 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PQFN8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

FDMS86181

kezdő: HUF 564,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

FCP165N65S3

kezdő: HUF 564,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-et az elosztó partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálták. A korábbi szilíciumgenerációhoz képest lágyabb a test-diódaKépes hullámforrasztásra

Infineon

IRFS7434TRLPBF

kezdő: HUF 564,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS021N06CLTWG

kezdő: HUF 563,775*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 400 mA, 600 V, 3-tüskés, TO-92 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STQ1HNK60R-AP

kezdő: HUF 563,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 262 A, 60 V, 8-tüskés, LFPAK8 NTMJS1D4N06CL Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 262 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMJS1D4N06CLTWG

kezdő: HUF 563,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5.8 A, 900 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB6NK90ZT4

kezdő: HUF 563,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 289 A, 40 V, 7-tüskés, PG-TO263-7 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 289 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG-TO263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...

Infineon

IPF010N04NF2SATMA1

kezdő: HUF 563,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1.5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDN358P

kezdő: HUF 562,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

BSZ100N06LS3GATMA1

kezdő: HUF 562,60*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 870 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

Kettős N-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

PMGD280UN,115

kezdő: HUF 562,60*
20 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 3 elem/chip, 30 A, 30 A, 20 A, 200 (3. Csatorna) V, 40 (1. Csatorna) V, 40 (2. Csatorna) V, 10-tüskés, (1 ajánlat)

Autóipari 40 V N- és P-csatornás normál leeresztő MOSFET pár és 200 V N-csatornás MOSFET pár.Optimalizált hármas lyukasztófej TrenchFET® power MOSFET

Vishay

SQUN702E-T1_GE3

kezdő: HUF 562,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 431 432 433 434 435 436 437 438 439 440 441 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)