Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 5-tüskés, DFN8x8 TK099V65Z Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = TK099V65Z Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
kezdő: HUF 866,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDP8896
kezdő: HUF 866,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 523 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...
Infineon
AUIRFSA8409-7TRL
kezdő: HUF 867,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 504 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8SW Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 504 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SO-8SW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SQRS140ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 868,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD16NF06LT4
kezdő: HUF 868,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...
Vishay
IRFP460LCPBF
kezdő: HUF 869,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 80 V, 16-tüskés, PG HDSOP-16 (TOLT) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 330 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forr...
Infineon
IPTC014N08NM5ATMA1
kezdő: HUF 869,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3,2 A, 12 V, 4-tüskés, DFN1010D-3 Egyszeres (1 ajánlat) 
12 V-os, N-csatornás Trench MOSFET – Az N-csatornás kiterjesztési módú, térvezérlésű tranzisztor (FET) egy rendkívül kis méretű, vezetékmentes DFN1010D-3 (SOT1215) SMD (felületre szerelhető eszköz)...
Nexperia
PMXB40UNEZ
kezdő: HUF 869,40*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (3 ajánlat) 
E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tápe...
Vishay
SIHG21N80AE-GE3
kezdő: HUF 870,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 400 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 300 V - 400 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP360PBF
kezdő: HUF 870,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 523 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 523 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
AUIRFSA8409-7TRL
kezdő: HUF 870,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 150 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
Vishay
SUP90100E-GE3
kezdő: HUF 870,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 1.2 A, 60 V, 8-tüskés, SM IntelliFET Izolált Si (1 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6004DT8TA
kezdő: HUF 870,30*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB17N80E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)
Vishay
SIHB17N80E-GE3
kezdő: HUF 871,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP260PBF
kezdő: HUF 871,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.