Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☑
☐
Kép
Minőséghitelesítő pecsét x
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
nincs adat
kezdő: HUF 7 927,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és a forrásellenállás 55 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási ...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
nincs adat
kezdő: HUF 3 489,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTH35 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
nincs adat
kezdő: HUF 4 259,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R048M1HXTMA1
nincs adat
kezdő: HUF 2 078,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R048M1HXTMA1
nincs adat
kezdő: HUF 2 932,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 362 996,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 80 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 227,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Vishay
SIRA88DP-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Vishay
SIRA88DP-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 1 499,40*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45,9 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIS4604LDN-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45,9 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIS4604LDN-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 249,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45.1 A., 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45.1 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SIS126DN-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 190,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45.1 A., 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SIS126DN-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 2 294,60*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45.3 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiS178LDN-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 112,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45.3 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiS178LDN-T1-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 128,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.