Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 460 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-363 DMN53D0LDWQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN53D0LDWQ sorozat két N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség
1
Diodes
DMN53D0LDWQ-7
kezdő: HUF 79,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 464 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D5N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 464 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NTMFS0D5N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...
1
onsemi
NTMFS0D5N03CT1G
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 464 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D5N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 464 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Kiváló hővezetési és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x6 mm) Rendkívül a...
1
onsemi
NTMFS0D5N03CT1G
kezdő: HUF 700,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
2
Infineon
IRLZ44NPBF
kezdő: HUF 180,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
1
Infineon
IRLZ44NPBF
kezdő: HUF 8 688,30*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
2
onsemi
FQB47P06TM_AM002
kezdő: HUF 784,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
2
onsemi
FQP47P06
kezdő: HUF 704,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
1
onsemi
FQP47P06
kezdő: HUF 5 327,90*
5 db-ként
 
 csomag
1
Infineon
BSC094N06LS5ATMA1
kezdő: HUF 476 203,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...
1
Infineon
BSC094N06LS5ATMA1
kezdő: HUF 96,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenké...
1
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1
kezdő: HUF 112,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenké...
1
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1
kezdő: HUF 222,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = E-Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
2
Vishay
SIHB053N60E-GE3
kezdő: HUF 880,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósá...
1
Vishay
SIHB053N60E-GE3
kezdő: HUF 874,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
2
Vishay
SIHG47N60E-GE3
kezdő: HUF 1 938,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.