MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (446/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 90 A, 60 V, SOT669 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Nexperia

BUK9Y13-60ELX

kezdő: HUF 536,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PQFN8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

FDMS4D5N08LC

kezdő: HUF 535,00*
db-ként

Infineon IRFB7430PBF tranzisztor 40 V 289 A MOSFET (2 ajánlat)

Infineon

IRFB7430PBF

kezdő: HUF 535,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 233 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 233 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szá...

Vishay

SQJQ150E-T1_GE3

kezdő: HUF 535,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 200 V, 3-tüskés, TO-263S (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = TO-263S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...

ROHM Semiconductor

RCJ451N20TL

kezdő: HUF 535,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizá...

onsemi

FDP8D5N10C

kezdő: HUF 535,00*
db-ként

Vishay SIHP25N50E-GE3 IGBT (2 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SIHP25N50E-GE3

kezdő: HUF 535,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRF540ZPBF

kezdő: HUF 534,70*
2 db-ként

MOSFET, 8,7 A, 950 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 950 V Csomag típusa = TO-220 Tüskék száma = 3

Infineon

SP005547007

kezdő: HUF 534,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 86 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRFR3709ZTRLPBF

kezdő: HUF 533,99*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220FM (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220FM Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ROHM Semiconductor

R8003KNXC7G

kezdő: HUF 533,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 250 V, 3-tüskés, TO-263S (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Csomag típusa = TO-263S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...

ROHM Semiconductor

RCJ331N25TL

kezdő: HUF 533,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 700 V, 4-tüskés, PG-VSON-4 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-VSON-4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = N...

Infineon

IPL65R230C7AUMA1

kezdő: HUF 533,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 201 A, 40 V, 3-tüskés, PG-TO263-3 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 201 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG-TO263-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = ...

Infineon

IPB011N04NF2SATMA1

kezdő: HUF 533,00*
db-ként

MOSFET, 200 A, 100 V, DDPAK/ TO-263 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DDPAK/ TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Texas Instruments

CSD19532KTTT

kezdő: HUF 533,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 441 442 443 444 445 446 447 448 449 450 451 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)