MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (449/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 12 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDC606P

kezdő: HUF 534,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STL260N (2 ajánlat)

A STMicroelectronics N-csatornás teljesítmény MOSFET a STripFET F7 technológiát továbbfejlesztett Trench gate szerkezettel használja, amely nagyon alacsony bekapcsolt állapotú ellenállást eredménye...

ST Microelectronics

STL260N4LF7

kezdő: HUF 534,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDN359BN

kezdő: HUF 534,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 212 A, 25 V, 8-tüskés, TSSSON-8 FL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 212 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Csomag típusa = TSSSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma c...

Infineon

BSZ010NE2LS5ATMA1

kezdő: HUF 534,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP30NF20

kezdő: HUF 534,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 37,1 A, 60 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 37,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR5623DP-T1-RE3

kezdő: HUF 534,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 86 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRFR3709ZTRLPBF

kezdő: HUF 533,99*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

IPP65R190CFD7XKSA1

kezdő: HUF 533,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 (2 ajánlat)

Ez a Infineon OptiMOS 3 MOSFET ideális nagyfrekvenciás kapcsoláshoz és szinkron egyenirányító rendszerhez. A JEDEC szerint a célalkalmazáshoz megfelelő minősítéssel rendelkezikHalogénmentes az IEC6...

Infineon

IPP200N15N3GXKSA1

kezdő: HUF 533,00*
db-ként

MOSFET, 120 A, 40 V, TO-263 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SQM120N04-1M7L_GE3

kezdő: HUF 532,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

A Infineon 800V CoolMOS™ P7 szuperjunkciósMOSFET-sorozat tökéletes választás az alacsony fogyasztású SMPS alkalmazásokhoz, mivel teljes mértékben kielégíti a piaci igényeket a teljesítmény, az egys...

Infineon

IPD80R360P7ATMA1

kezdő: HUF 531,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

Gépjármű P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...

onsemi

FQB34P10TM

kezdő: HUF 531,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW9NK90Z

kezdő: HUF 531,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 201 A, 40 V, 3-tüskés, PG-TO263-3 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 201 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PG-TO263-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = ...

Infineon

IPB011N04NF2SATMA1

kezdő: HUF 531,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQU13N10LTU

kezdő: HUF 530,20*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 441 442 443 444 445 446 447 448 449 450 451 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)