MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (449/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SIHK045N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 183,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat)

Vishay

SIHK045N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 2 391,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS3572

kezdő: HUF 394,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDMS3572

kezdő: HUF 492,54*
db-ként

kezdő: HUF 2 462,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 480 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP4424GTA

kezdő: HUF 159,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 480 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVP4424GTA

kezdő: HUF 125,12*
db-ként

kezdő: HUF 625,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 480 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP31D0U-7

kezdő: HUF 33,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 480 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP31D0U-7

kezdő: HUF 28,012*
db-ként

kezdő: HUF 1 400,60*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 483 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 StrongIRFET Si (1 ajánlat)

Infineon 100 V-os N-csatornás teljesítmény MOSFET. Ez a MOSFET ideális a magas kapcsolási frekvenciájú alkalmazásokhoz.Nagyon alacsony RDS(be) Kiváló kaputöltés x RDS(ON) (FOM) Optimalizált Qrr 175...

Infineon

IRF100P218XKMA1

kezdő: HUF 1 760,92*
db-ként

kezdő: HUF 44 023,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 483 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 StrongIRFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 483 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = StrongIRFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Infineon

IRF100P218XKMA1

kezdő: HUF 2 680,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...

onsemi

NTMYS8D0N04CTWG

kezdő: HUF 268,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 49 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NTMYS8D0N04CTWG

kezdő: HUF 460,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, max. 40 V. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes k...

Infineon

BSC093N04LS G

kezdő: HUF 100,62*
db-ként

kezdő: HUF 503,10*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon

BSC093N04LSGATMA1

kezdő: HUF 106,00*
db-ként

Infineon IRFZ44N tranzisztor 55 V (3 ajánlat)

Infineon

IRFZ44NPBF

kezdő: HUF 160,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 441 442 443 444 445 446 447 448 449 450 451 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)