MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (45/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™-T Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™T teljesítmény MOSFET-ek. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes körű rugalma...

Infineon

IPD30N10S3L34ATMA1

kezdő: HUF 467 727,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 240 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-963 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMN26D0UDJ-7

kezdő: HUF 467 697,00*
10 000 db-ként

Infineon IPD50P04P4-13 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50P04P413ATMA1

kezdő: HUF 466 636,50*
2 500 db-ként

Infineon IPB70N10S3-12 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB70N10S312ATMA1

kezdő: HUF 465 965,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 8,1 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRL6372TRPBF

kezdő: HUF 464 175,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 11 A, 12 V, 3-tüskés, SC-59 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = SC-59 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3

Diodes

DMN1019USNQ-13

kezdő: HUF 463 653,00*
10 000 db-ként

MOSFET, X4-DSN1717-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Csomag típusa = X4-DSN1717-4

Diodes

DMN2009UCA4-7

kezdő: HUF 462 618,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 14 A, 60 V, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

IRFR020TRPBF

kezdő: HUF 462 605,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 380 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...

Infineon

IRLS3034TRL7PP

kezdő: HUF 461 019,20*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 23 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...

ROHM Semiconductor

R6055VNZC17

kezdő: HUF 460 963,302*
300 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 150 V, 3-tüskés, SOT-223 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDT86244

kezdő: HUF 460 721,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A17E6TA

kezdő: HUF 459 931,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...

Vishay

SQ2310ES-T1_BE3

kezdő: HUF 459 451,02*
3 000 db-ként

MOSFET modul, AG-EASY1B-1 DDB2U (1 ajánlat)

Csomag típusa = AG-EASY1B-1 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés

Infineon

DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

kezdő: HUF 458 321,51208*
24 db-ként

Infineon BSC0996NS tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC0996NSATMA1

kezdő: HUF 457 191,00*
5 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)