MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (459/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Infineon

IPW60R080P7XKSA1

kezdő: HUF 1 414,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...

ST Microelectronics

STW48N60DM2

kezdő: HUF 1 926,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STW48N60DM2

kezdő: HUF 55 462,7001*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 4-tüskés, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STE40NC60

kezdő: HUF 8 590,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 4-tüskés, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STE40NC60

kezdő: HUF 9 588,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN48N60P

kezdő: HUF 7 965,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN48N60P

kezdő: HUF 91 925,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ CFD7 Si (1 ajánlat)

A Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 az Infineon legújabb nagyfeszültségű szuperjunkciós MOSFET technológiája, amely integrált gyorsdióda-házzal rendelkezik, kiegészítve a CoolMOS™ 7 sorozatot. A CoolMOS™...

Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1

kezdő: HUF 1 688,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

onsemi

NTB082N65S3F

kezdő: HUF 1 439,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTPF082N65S3F

kezdő: HUF 59 012,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charg...

onsemi

NTPF082N65S3F

kezdő: HUF 1 391,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...

onsemi

NTP082N65S3HF

kezdő: HUF 64 569,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...

onsemi

NTP082N65S3HF

kezdő: HUF 1 227,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP067N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTP067N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

onsemi

NTP067N65S3H

kezdő: HUF 1 631,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP067N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...

onsemi

NTP067N65S3H

kezdő: HUF 1 995,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 451 452 453 454 455 456 457 458 459 460 461 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)