Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 136 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDD86540
kezdő: HUF 419,06*
db-ként
kezdő: HUF 2 095,30*
5 db-ként
Infineon IPB200N15N3 G tranzisztor 100 V (2 ajánlat)
Infineon
IPB200N15N3GATMA1
kezdő: HUF 343,00*
db-ként
kezdő: HUF 343,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött
Infineon
IPB200N15N3 G
kezdő: HUF 884,20*
db-ként
kezdő: HUF 1 768,40*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...
onsemi
FDD86250-F085
kezdő: HUF 276,00*
db-ként
kezdő: HUF 276,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás, védett kapus PowerTrench® MOSFET – 150 V, 50 A, 22 mΩJellemzően RDS(on) = 19,4 mΩ VGS = 10 V és ID = 20 A esetén Jellemzően Qg(tot) = 28 nC VGS = 10 V és ID = 40 A esetén UIS-képesség ...
onsemi
FDD86250-F085
kezdő: HUF 276,14*
db-ként
kezdő: HUF 2 761,40*
10 db-ként
Infineon IPD200N15N3 G tranzisztor 100 V (2 ajánlat)
Infineon
IPD200N15N3GATMA1
kezdő: HUF 405,00*
db-ként
kezdő: HUF 405,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IPD200N15N3 G 150V OptiMOS az R DS(on) 40%-os, az érdem (FOM) pedig 45%-os csökkenését éri el a következő legjobb versenytárshoz képest. Ez a drasztikus javulás új lehetőségeket nyit meg...
Infineon
IPD200N15N3GATMA1
kezdő: HUF 370,09*
db-ként
kezdő: HUF 3 700,90*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 (2 ajánlat) 
Ez a Infineon OptiMOS 3 MOSFET ideális nagyfrekvenciás kapcsoláshoz és szinkron egyenirányító rendszerhez. A JEDEC szerint a célalkalmazáshoz megfelelő minősítéssel rendelkezikHalogénmentes az IEC6...
Infineon
IPP200N15N3GXKSA1
kezdő: HUF 519,00*
db-ként
kezdő: HUF 519,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
Infineon
IPP200N15N3GXKSA1
kezdő: HUF 712,00*
db-ként
kezdő: HUF 712,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...
ROHM Semiconductor
RX3R05BBHC16
kezdő: HUF 417,00*
db-ként
kezdő: HUF 417,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220AB Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...
ROHM Semiconductor
RX3R05BBHC16
kezdő: HUF 420,00*
db-ként
kezdő: HUF 420,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, TO-3PN QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...
onsemi
FQA46N15
kezdő: HUF 754,46*
db-ként
kezdő: HUF 3 772,30*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Vishay
SIR401DP-T1-GE3
kezdő: HUF 144,00*
db-ként
kezdő: HUF 144,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Vishay
SIR401DP-T1-GE3
kezdő: HUF 264,06*
db-ként
kezdő: HUF 1 320,30*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXTP50N20P
kezdő: HUF 982,00*
db-ként
kezdő: HUF 982,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   461   462   463   464   465   466   467   468   469   470   471   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.