MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (464/794 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 30 V, 8-tüskés, WPAK BEAM (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = BEAM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellená...

Renesas Electronics

RJK0391DPA-00J5A

kezdő: HUF 1 149 106,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 30 V, 8-tüskés, WPAK BEAM (1 ajánlat)

Renesas Electronics

RJK0391DPA-00J5A

kezdő: HUF 263,00*
db-ként

Infineon IRF300P227 tranzisztor 300 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF300P227

kezdő: HUF 1 431,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 300 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 300 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IRF300P227

kezdő: HUF 2 090,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

A Infineon -40 V, P-CH, max. 12.6 ohm, autóipari MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2.P-csatorna – normál szint – halmozási mód AEC minősítés MSL1 - 260 °C Peak visszafolyása 175 °C-os üzemi hőmérséklet Zöld ...

Infineon

IPD50P04P413ATMA2

kezdő: HUF 142,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Infineon

IPD50P04P413ATMA2

kezdő: HUF 299,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50P04-08-GE3

kezdő: HUF 223,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50N04-8M8P-4GE3

kezdő: HUF 199,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50P04-08-GE3

kezdő: HUF 392 329,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50N04-8M8P-4GE3

kezdő: HUF 1 961,20*
20 db-ként

Infineon IPD50P04P4-13 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50P04P413ATMA1

kezdő: HUF 464 990,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...

Infineon

IPD50P04P413ATMA1

kezdő: HUF 5 838,20*
25 db-ként

Infineon IPD50N04S4-08 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50N04S408ATMA1

kezdő: HUF 104,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™ T2 teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon új OptiCath™ -T2 energiatakarékos MOSFET tranzisztorainak széles választékát kínálja CO2-csökkentéssel és elektromos meghajtókkal. Az új Opt...

Infineon

IPD50N04S408ATMA1

kezdő: HUF 313 365,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3G500GN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = RD3G500GN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

ROHM Semiconductor

RD3G500GNTL

kezdő: HUF 679 656,00*
2 500 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 461 462 463 464 465 466 467 468 469 470 471 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)