MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (469/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50P04-08-GE3

kezdő: HUF 219,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50N04-8M8P-4GE3

kezdő: HUF 202,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50P04-08-GE3

kezdő: HUF 392 613,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SUD50N04-8M8P-4GE3

kezdő: HUF 1 910,00*
20 db-ként

Infineon IPD50P04P4-13 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50P04P413ATMA1

kezdő: HUF 465 500,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...

Infineon

IPD50P04P413ATMA1

kezdő: HUF 7 049,40*
25 db-ként

Infineon IPD50N04S4-08 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50N04S408ATMA1

kezdő: HUF 103,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™ T2 teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon új OptiCath™ -T2 energiatakarékos MOSFET tranzisztorainak széles választékát kínálja CO2-csökkentéssel és elektromos meghajtókkal. Az új Opt...

Infineon

IPD50N04S408ATMA1

kezdő: HUF 313 330,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3G500GN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = RD3G500GN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

ROHM Semiconductor

RD3G500GNTL

kezdő: HUF 678 134,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3G500GN Egyszeres (1 ajánlat)

Az RD3G500GN alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással felszerelt MOSFET kapcsolási alkalmazáshoz.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Nagy teljesítményű egység (TO-252) Pb-mentes ólombevonat H...

ROHM Semiconductor

RD3G500GNTL

kezdő: HUF 7 762,30*
25 db-ként

Infineon IPC50N04S5-5R8 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1

kezdő: HUF 125,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon n csatornás normál szintű MOSFET autóipari alkalmazásokhoz. Ez 100 százalékos lavina tesztelt és AEC Q101 minősített.Megfelel az RoHS előírásainak 175 °C üzemi hőmérséklettel rendelkezik

Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1

kezdő: HUF 211,00*
db-ként

Infineon IPD50N06S2L-13 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50N06S2L13ATMA2

kezdő: HUF 1 132,655*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ (1 ajánlat)

Ez a Infineon OptiMOS MOSFET nagy áramerősséget, és a legalacsonyabb kapcsolási és vezetési teljesítményveszteséget biztosít a legmagasabb termikus hatékonyság érdekében. Ez 100% lavina tesztelt.Az...

Infineon

IPD50N06S2L13ATMA2

kezdő: HUF 324,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 6 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 6 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekm...

ROHM Semiconductor

RD3P03BBHTL1

kezdő: HUF 242,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 461 462 463 464 465 466 467 468 469 470 471 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)