MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (473/800 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-3PF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

ROHM Semiconductor

R6050JNZC17

kezdő: HUF 2 625,00*
db-ként

Infineon IPZ60R040C7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPZ60R040C7XKSA1

kezdő: HUF 2 827,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ C7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ C7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellená...

Infineon

IPZ60R040C7XKSA1

kezdő: HUF 2 878,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 9-tüskés, SMPD CoolMOS™ Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás teljesítmény MOSFET, IXYS CoolMOS™

IXYS

MKE38RK600DFELB

kezdő: HUF 6 266,00*
db-ként

Infineon IPB60R040C7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB60R040C7ATMA1

kezdő: HUF 2 331,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V...

Infineon

IPB60R040C7ATMA1

kezdő: HUF 2 992,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R039M1HXKSA1

kezdő: HUF 3 059,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IMZA65R039M1HXKSA1

kezdő: HUF 3 455,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Infineon

IPB65R041CFD7ATMA1

kezdő: HUF 1 955,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ (1 ajánlat)

Infineon

IPB65R041CFD7ATMA1

kezdő: HUF 2 711,00*
db-ként

Infineon IPD50N08S4-13 tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50N08S413ATMA1

kezdő: HUF 201,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 80 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon n csatornás MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavinája pedig 100 százalék.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősítésű

Infineon

IPD50N08S413ATMA1

kezdő: HUF 326,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 80 V, 7-tüskés, MG-WDSON-2 OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

Az OptiMOS Infineon termékskálája piacvezető az áramtermelés (pl. napelemes mikroinverter), a tápellátás (pl. szerver és távközlés) és az energiafogyasztás (pl. elektromos jármű) hatékony megoldásá...

Infineon

BSB104N08NP3GXUSA1

kezdő: HUF 1 071 685,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 80 V, 7-tüskés, MG-WDSON-2 OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

BSB104N08NP3GXUSA1

kezdő: HUF 363,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 mA, 20 V, 3-tüskés, USM 2SK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba

Toshiba

2SK1829(TE85L,F)

kezdő: HUF 85 687,02*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 481 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)