Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Infineon
AIMW120R035M1HXKSA1
kezdő: HUF 9 024,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
AIMW120R035M1HXKSA1
kezdő: HUF 9 426,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 45 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium ...
Infineon
IMZ120R045M1XKSA1
kezdő: HUF 4 051,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMZ120R045M1XKSA1
kezdő: HUF 4 470,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1700 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMW120R045M1XKSA1
kezdő: HUF 4 019,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1700 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 (1 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 45 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium ...
Infineon
IMW120R045M1XKSA1
kezdő: HUF 4 504,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) UniFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
FDB52N20TM
kezdő: HUF 409,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) UniFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
FDB52N20TM
kezdő: HUF 2 126,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDD8647L
kezdő: HUF 176,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDD8647L
kezdő: HUF 819,90*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...
onsemi
NTMYS7D3N04CLTWG
kezdő: HUF 288,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...
onsemi
NTMYS7D3N04CLTWG
kezdő: HUF 455,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...
onsemi
FQB50N06LTM
kezdő: HUF 535,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Vishay
SIS862ADN-T1-GE3
kezdő: HUF 111,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFETTrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SIS862ADN-T1-GE3
kezdő: HUF 3 514,50*
25 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.