MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (480/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon AUIRFS8409-7P tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

AUIRFS8409-7TRL

kezdő: HUF 995,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 522 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 522 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális n...

Infineon

AUIRFS8409-7TRL

kezdő: HUF 1 298,00*
db-ként

Infineon IRFS7430-7P tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFS7430TRL7PP

kezdő: HUF 631,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 523 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...

Infineon

AUIRFSA8409-7TRL

kezdő: HUF 901 202,60*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 523 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 523 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

AUIRFSA8409-7TRL

kezdő: HUF 1 569,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 500 V, 4-tüskés, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STE53NC50

kezdő: HUF 10 171,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 500 V, 4-tüskés, ISOTOP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STE53NC50

kezdő: HUF 9 872,00*
db-ként

Infineon IRFZ46N tranzisztor 75 V (3 ajánlat)

Infineon

IRFZ46NPBF

kezdő: HUF 168,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...

onsemi

FQPF85N06

kezdő: HUF 588,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IMZA65R030M1HXKSA1

kezdő: HUF 3 732,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R030M1HXKSA1

kezdő: HUF 4 154,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN60N80P

kezdő: HUF 13 260,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN60N80P

kezdő: HUF 11 341,00*
db-ként

Infineon IPZ60R070P6 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPZ60R070P6FKSA1

kezdő: HUF 62 207,40*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 53.5 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ P6 Si (1 ajánlat)

A Infineon CoolMOS egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szuper csatlakozás (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A Cool...

Infineon

IPZ60R070P6FKSA1

kezdő: HUF 2 149,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 481 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)