Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220F UniFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási e...
onsemi
FDPF55N06
kezdő: HUF 388,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220F UniFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási e...
onsemi
FDPF55N06
kezdő: HUF 2 974,70*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 60 V, 8-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMC86520L
kezdő: HUF 311,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
Infineon
IPP65R190CFD7AAKSA1
kezdő: HUF 754,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SiC Power Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...
onsemi
NTH4L045N065SC1
kezdő: HUF 2 167,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...
onsemi
NTH4L045N065SC1
kezdő: HUF 3 108,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat
Toshiba
TK35E08N1
kezdő: HUF 6 803,50*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat
Toshiba
TK35E08N1
kezdő: HUF 2 005,40*
5 db-ként
Infineon IRF6668 tranzisztor 80 V (2 ajánlat)
Infineon
IRF6668TRPBF
kezdő: HUF 1 344 105,84*
4 800 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 7-tüskés, DirectFET izometrikus HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET 80V maximális leeresztési forrásfeszültséggel rendelkezik egy DirectFET MZ tokozásban, amely 55 ampernél van optimalizálva alacsony bekapcsolt ellenállással. ...
Infineon
IRF6668TRPBF
kezdő: HUF 397,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres (3 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...
Infineon
BSC123N08NS3GATMA1
kezdő: HUF 103,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...
Infineon
BSC123N08NS3 G
kezdő: HUF 560,20*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SISS5108DN-T1-GE3
kezdő: HUF 435,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SISS5108DN-T1-GE3
kezdő: HUF 558,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SISS5110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 071 392,01*
3 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.