MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (481/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

Nettó ár

Megrendelés

Infineon IRFZ44V tranzisztor 100 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFZ44VPBF

nincs adat

kezdő: HUF 223,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220F UniFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási e...

onsemi

FDPF55N06

nincs adat

kezdő: HUF 390,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220F UniFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDPF55N06

nincs adat

kezdő: HUF 2 940,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 60 V, 8-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86520L

nincs adat

kezdő: HUF 424,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

Infineon

IPP65R190CFD7AAKSA1

nincs adat

kezdő: HUF 752,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SiC Power Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...

onsemi

NTH4L045N065SC1

nincs adat

kezdő: HUF 2 158,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...

onsemi

NTH4L045N065SC1

nincs adat

kezdő: HUF 3 074,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK35E08N1

nincs adat

kezdő: HUF 6 786,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK35E08N1

nincs adat

kezdő: HUF 706,40*
5 db-ként

Infineon IRF6668 tranzisztor 80 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF6668TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 1 073 141,616*
4 800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 7-tüskés, DirectFET izometrikus HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET 80V maximális leeresztési forrásfeszültséggel rendelkezik egy DirectFET MZ tokozásban, amely 55 ampernél van optimalizálva alacsony bekapcsolt ellenállással. ...

Infineon

IRF6668TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 225,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres (3 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

BSC123N08NS3GATMA1

nincs adat

kezdő: HUF 103,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

BSC123N08NS3 G

nincs adat

kezdő: HUF 1 077,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...

Vishay

SISS5108DN-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 433,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS5108DN-T1-GE3

nincs adat

kezdő: HUF 550,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 481 482 483 484 485 486 487 488 489 490 491 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)