Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB SiHP052N60EF (2 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHP052N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 170,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB SiHP052N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHP052N60EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Vishay
SIHP052N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 177,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Infineon
IPW60R060P7XKSA1
kezdő: HUF 1 328,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG052N60EF (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHG052N60EF Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,052 Ω Csatorna mód = ...
Vishay
SIHG052N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 396,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG052N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHG052N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 589,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK48N60Q3
kezdő: HUF 213 351,70*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFK48N60Q3
kezdő: HUF 7 329,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 STWA68N65DM6 Si (2 ajánlat) 
MDMESH M6 MOSFET N-CSA STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 ötvöz...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6
kezdő: HUF 2 765,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 STWA68N65DM6 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = STWA68N65DM6 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6
kezdő: HUF 4 477,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTH48N65X2
kezdő: HUF 2 416,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTH48N65X2
kezdő: HUF 2 511,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK045N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 1 467,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...
Vishay
SIHK045N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 2 408,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
FDMS3572
kezdő: HUF 397,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
FDMS3572
kezdő: HUF 2 482,70*
5 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   481   482   483   484   485   486   487   488   489   490   491   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.