Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SISS5110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 357,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SISS5110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 359,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIR5108DP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 133 558,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIR5108DP-T1-RE3
kezdő: HUF 489,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat) 
N-csatornás 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 167,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 55.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 862,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 550 A, 55 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat
IXYS
MMIX1T550N055T2
kezdő: HUF 14 150,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 550 A, 55 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat
IXYS
MMIX1T550N055T2
kezdő: HUF 16 696,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 550 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMP31 Si (2 ajánlat) 
A DiodesZetex 30 V-os kettős P-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ide...
Diodes
DMP31D7LDW-7
kezdő: HUF 15,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 550 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMP31 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 550 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMP31 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrásell...
Diodes
DMP31D7LDW-7
kezdő: HUF 74,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 554.5 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 554.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...
onsemi
NTMTS0D6N04CLTXG
kezdő: HUF 2 323 339,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 554.5 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Az eszközök ólommentesek, ...
onsemi
NTMTS0D6N04CLTXG
kezdő: HUF 1 911,80*
2 db-ként
Infineon IRL40SC228 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)
Infineon
IRL40SC228
kezdő: HUF 722,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 557 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 557 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRL40SC228
kezdő: HUF 951,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 56 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
Ez a HEXFET teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. További jellemzői ennek a design...
Infineon
IRFR3710ZTRLPBF
kezdő: HUF 954 488,01*
3 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   481   482   483   484   485   486   487   488   489   490   491   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.