MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (488/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3...

Vishay

SQM50034EL_GE3

kezdő: HUF 409,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP14NK50Z

kezdő: HUF 409,00*
db-ként

Infineon IPD200N15N3 G tranzisztor 100 V (2 ajánlat)

Infineon

IPD200N15N3GATMA1

kezdő: HUF 409,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) UniFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

FDB52N20TM

kezdő: HUF 409,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD11N60M6 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = STD11N60M6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

ST Microelectronics

STD11N60M6

kezdő: HUF 409,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOP TPC Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET P-csatornás, TPC sorozat Toshiba

Toshiba

TPC8125

kezdő: HUF 408,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 A, 100 V, HVMDIP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = HVMDIP Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

IRFD9120PBF

kezdő: HUF 408,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 168 A, 75 V, 8-tüskés, SOP Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 168 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Csomag típusa = SOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Toshiba

TPH2R608NH,L1Q(M

kezdő: HUF 408,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPC50PBF

kezdő: HUF 407,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizá...

onsemi

FDMS4D5N08LC

kezdő: HUF 407,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

NDS7002A

kezdő: HUF 406,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 mA, 20 V, 3-tüskés, USM Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, SSM3K sorozatú, Toshiba

Toshiba

SSM3K16FU(F)

kezdő: HUF 406,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP13NM60N

kezdő: HUF 406,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SISS4402DN-T1-GE3

kezdő: HUF 406,00*
db-ként

Infineon IPL60R185P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPL60R185P7AUMA1

kezdő: HUF 406,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 481 482 483 484 485 486 487 488 489 490 491 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)