Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V
onsemi
NTF5P03T3G
kezdő: HUF 2 849,20*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 4-tüskés, DFN1010D-3, SOT1215 Egyszeres (1 ajánlat) 
20 V-os, P-csatornás Trench MOSFET – A P-csatornás kiterjesztési módú, térvezérlésű tranzisztor (FET) egy rendkívül kis méretű, vezetékmentes DFN1010D-3 (SOT1215) SMD (felületre szerelhető eszköz) ...
Nexperia
PMXB75UPEZ
kezdő: HUF 1 674,30*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 4-tüskés, DFN1010D-3 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = DFN1010D-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő...
Nexperia
PMXB75UPEZ
kezdő: HUF 139 124,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN2053UW (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMN2053UW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Diodes
DMN2053UWQ-7
kezdő: HUF 26,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN2053UW (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN2053UW sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy hatékonyságú...
Diodes
DMN2053UWQ-7
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6006DGTA
kezdő: HUF 224,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6006DGTA
kezdő: HUF 199 575,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQD5N60CTM
kezdő: HUF 172,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQD5N60CTM
kezdő: HUF 2 830,20*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6006SGTA
kezdő: HUF 221,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6006SGTA
kezdő: HUF 222 645,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
NDT014L
kezdő: HUF 136,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
NDT014L
kezdő: HUF 2 462,70*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...
Infineon
ISP12DP06NMXTSA1
kezdő: HUF 219,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLL014NTRPBF
kezdő: HUF 73,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.