| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Kép | | | | Megrendelés | ![](/p.gif) | | |
|
|
kezdő: HUF 2 849,20* 25 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 4-tüskés, DFN1010D-3, SOT1215 Egyszeres (1 ajánlat) 20 V-os, P-csatornás Trench MOSFET – A P-csatornás kiterjesztési módú, térvezérlésű tranzisztor (FET) egy rendkívül kis méretű, vezetékmentes DFN1010D-3 (SOT1215) SMD (felületre szerelhető eszköz) ... |
|
kezdő: HUF 1 674,30* 50 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 139 124,00* 5 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 26,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 53,00* db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat) IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd... |
|
kezdő: HUF 224,00* db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat) IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd... |
|
kezdő: HUF 199 575,00* 1 000 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ... |
|
kezdő: HUF 172,00* db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ... |
|
kezdő: HUF 2 830,20* 10 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat) IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd... |
|
kezdő: HUF 221,00* db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat) IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd... |
|
kezdő: HUF 222 645,00* 1 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 136,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 2 462,70* 20 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat) Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe... |
|
kezdő: HUF 219,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 73,00* db-ként |
| |
|