MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (491/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) IRF3710ZS Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Infineon

IRF3710ZSTRLPBF

kezdő: HUF 3 159,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Motorvezérlés és AC-DC szinkronkapcsoló MOSFET, Infineon. MOSFET motorvezérlés. Az Infineon átfogó termékkínálattal rendelkezik a robusztus N-csatornás és a P-csatornás MOSFET-eszközök között a mot...

Infineon

IRF3710ZPBF

kezdő: HUF 244,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF3710ZPBF

kezdő: HUF 648,10*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIJ4106DP-T1-GE3

kezdő: HUF 1 269 859,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIJ4106DP-T1-GE3

kezdő: HUF 428,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

ISC0804NLSATMA1

kezdő: HUF 1 084 772,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat)

Infineon

ISC0804NLSATMA1

kezdő: HUF 358,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (3 ajánlat)

A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jell...

Infineon

IRFR2905ZTRPBF

kezdő: HUF 124,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Infineon

IRFR2905ZTRPBF

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

AUIRFR2905ZTRL

kezdő: HUF 340,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Infineon

AUIRFR2905ZTRL

kezdő: HUF 568,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PSMN012-60YS,115

kezdő: HUF 223,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PSMN012-60YS,115

kezdő: HUF 1 048,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R027M1HXKSA1

kezdő: HUF 4 251,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IMZA65R027M1HXKSA1

kezdő: HUF 4 622,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 491 492 493 494 495 496 497 498 499 500 501 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)