MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (492/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PSMN012-60YS,115

kezdő: HUF 224,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PSMN012-60YS,115

kezdő: HUF 1 051,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMZA65R027M1HXKSA1

kezdő: HUF 4 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Infineon

IMZA65R027M1HXKSA1

kezdő: HUF 4 588,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59,2 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 59,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS4409DN-T1-GE3

kezdő: HUF 904 668,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59,2 A, 40 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS4409DN-T1-GE3

kezdő: HUF 306,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59.7 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 150 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...

Vishay

SIR572DP-T1-RE3

kezdő: HUF 289,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 59.7 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 150 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59.7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = N-Channel 150 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...

Vishay

SIR572DP-T1-RE3

kezdő: HUF 460,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 12-tüskés, V-DFN5045-12 DMHT10H032LFJ (1 ajánlat)

A DiodesZetex DMHT10H032LFJ sorozat egy N-csatornás MOSFET H-híd konfigurációban.Magas konverziós hatékonyság Gyors kapcsolási sebesség

Diodes

DMHT10H032LFJ-13

kezdő: HUF 201,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 12-tüskés, V-DFN5045-12 DMHT10H032LFJ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMHT10H032LFJ Tüskék száma = 12 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.033 O Csatorna mód =...

Diodes

DMHT10H032LFJ-13

kezdő: HUF 245,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD6NF10T4

kezdő: HUF 122,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD6NF10T4

kezdő: HUF 789,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP3682

kezdő: HUF 274,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP3682

kezdő: HUF 1 042,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 8-tüskés, HUML2020L8 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = HUML2020L8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...

ROHM Semiconductor

RF4P060BGTCR

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 491 492 493 494 495 496 497 498 499 500 501 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)